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次世代クリーンルーム構築技術

次世代の半導体・液晶製造空間を短工期で構築

今後ますます高精度、高品質が求められる次世代の半導体・液晶製造では、従来の温湿度・塵埃の制御に加えて、ケミカル汚染(有機汚染)・微細振動・電源電位変動・電磁波など、製造に影響を与えるクリーンルームのゆらぎを徹底して排除した施設(フラクチュエーション・フリー・ファシリティ:FFF)が必要となります。

熊谷組では、クリーンルーム・ユーティリティーメーカーとの緊密な連携により、フラクチュエーション・フリー・ファシリティを効率的に短期間で提供いたします。

FFF(フラクチュエーション・フリー・ファシリティ)に要求される制御項目

FFFを実現するための技術
建物 微細振動制御
高剛性嫌振架台
等電位躯体構造
クリーンルーム 気流制御
ケミカル汚染(含む有機汚染)対策
静電気・帯電防止対策
電磁波シールド対策
変動磁場対策
機械設備 省エネルギー対策
振動伝播防止対策
電気設備 落雷対策
電源電位変動対策
コジェネレーション対応技術
電源ノイズ対策
接地線ノイズ対策
低抵抗アース
ユーティリティー設備 配管微振動防止対策
配管防錆対策(水素添加水利用技術)
その他設備 消火設備
超純水供給設備
超高純度ガス供給設備
超高純度薬品供給設備
排液回収再利用設備
搬送設備

FFFを実現するための技術

フラクチュエーション・フリー・ファシリティー基本仕様
基本条件 温度:23 ± 1℃
湿度:45 ± 5%
パーティクル:0.1 µm
クラス1
ケミカル汚染(含む)有機汚染 気中TOC濃度: 50 µg/m³
ウェーハ付着TOC量: 1000 pg/cm²
B、P、シロキサン:検出限界以下
微振動 嫌振エリア加速度:0.5 gal以下
振幅:1µm以下(1~100Hz)
剛性:108 N/m以上
一般エリア:1 gal以下
電源電位変動・シールド 等電位躯体構造:5V以下
壁面表面電位:5V以下(23℃ 45%)
接地抵抗:1Ω以下
変動磁界:0.1ミリガウス以下
電磁シールド:30dB(~300MHz)以上


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